汽车和工业应用都要一直提高功率密度。例如，为了更好的提高安全性，新的汽车动力转向设计现在要求双冗余电路，这在某种程度上预示着要在相同空间内容纳双倍的元器件。再举一个例子，在服务器群中，每平方米都要耗费一定成本，用户通常每18个月要求相同电源封装中的输出功率翻倍。如果分立式半导体供应商要应对这一挑战，不能仅专注于改进晶圆技术，还必须努力提升封装性能。
总部位于荷兰的安世半导体是分立器件、MOSFET器件、模拟和逻辑集成电路领域的领导者，该公司率先在-功率封装（LFPAK无损封装）内部采用了全铜夹片芯片贴装技术，目的是实现多种技术优势（电流能力、RDSon、热特性等）。
LFPAK封装系列用于提高功率密度。其主要特征是在封装内部使用了全铜夹片，在外部使用了鸥翼引脚。安世半导体在2002年率先推出LFPAK56封装-它是一款功率SO8封装(5mm x 6mm)，设计用于替代体积更大的DPAK封装。现在，该企业来提供了一系列不一样的尺寸的封装，包含单双通道MOSFET配置，可涵盖众多不同应用。最近，安世半导体发布了LFPAK88，这是一款8mm x 8mm封装，针对较高功率的应用而设计，可取代体积更大的D²PAK和D²PAK-7封装。
LFPAK器件的体积小于老式D²PAK和D²PAK-7器件，同时实现了功率密度的明显提升。
上图显示了LFPAK88的相对占位面积大小，与D²PAK器件相比减小了60%；另外LFPAK88器件的高度更低，因而总体积减小了86%。
LFPAK88之所以可以在一定程度上完成性能和功率密度的提升，是因为它采用了铜夹片封装技术，取代了D²PAK和D²PAK7等封装采用的老式焊线技术。
焊线是一个制约因素，它决定了器件可处理的电流的大小。在使用D²PAK封装的情况下，使用的焊线µm（由于连接的T型柱尺寸）。
使用最新Trench 9超级结40V晶圆，安世半导体能够放入D²PAK封装的最大晶圆电流额定值为120A。但是，对于体积更小的LFPAK88封装，由于不受焊线制约，安世半导体目前能够放入该封装的最大晶圆电流额定值为425A。随公司以后发布更大晶圆的产品，此电流额定值还会提高。[注：这些值来自于测量而并非理论]
例如，在上述两个器件中使用相同的Trench 9 40V技术平台，安世半导体目前能够放入D²PAK的最大晶圆的RDS(on)值为1.2mΩ。若使用体积更小的夹片粘合LFPAK88封装，该值可减少至0.7mΩ，这要归功于它没有焊线平台上开发]。
在每个开关事件中，一定要解决寄生源极电感问题，因为它会降低效率。在需要高频率开关的应用中，例如在DC/DC转换器中，这种效率损失会产生很大影响。
源极焊线还会增加总寄生源极电感，再加上D²PAK的长引脚，电感值达到5nH。相比之下，由于LFPAK88没有源极焊线，而且只使用很小的鸥翼引脚，因而电感值仅为1nH。
当高电流通过器件时，它会集中在焊线连接到晶圆的瓶颈处。这些电流热点可能会引起散热/质量问题。
与老式封装相比，LFPAK88拥有非常良好的热性能。例如，如果我们计算从晶圆到封装底部连接至印刷电路板处（从结到贴装基底）的热阻，热阻值越低越好。
更低的热阻值主要归功于传热路线更短，漏极铜夹片更薄（LFPAK88的厚度为0.5mm，D²PAK的厚度为1.3mm）
尺寸更小，电流能力更高，RDS(on)值更低，这些优势结合在一起，使功率密度得以提高，正如表中所总结（使用相同技术平台来提供相近的性能）
总而言之，要提高功率密度，不仅需要晶圆技术的改进，还必须利用新的封装技术，充分的发挥分立式MOSFET的潜能。LFPAK全铜夹片封装系列增强了晶圆的性能表现，可以帮助我们减小占位面积，提高功率输出。
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